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Zum Begriff WBGS

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:58:
[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der Grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese Bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium - Si) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren Schaltgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch ein Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden Zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme im gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
Die grosse Breite des Energieabstandbands ermöglicht auch die Herstellung von [link]LED[/link]s für kurzwellige Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
-Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleichso wird ihre Leitfähigkeit ebenfalls weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
+Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleichso wird ihre Leitfähigkeit weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
-Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch als Hochleistungselemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
+Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene Geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch für Hochleistungsbauelemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
-Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendungen im Begriff zu sinken sind.
+Einer der Nachteile liegt heute (2016) noch in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit wachsender Ausbreitung der Anwendungen im Begriff zu sinken sind.
Zu den wichtigsten Materialien gehören hier Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:27:
-[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese Bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
+[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der Grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese Bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium - Si) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren Schaltgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch ein Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden Zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme im gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
Die grosse Breite des Energieabstandbands ermöglicht auch die Herstellung von [link]LED[/link]s für kurzwellige Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleichso wird ihre Leitfähigkeit ebenfalls weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch als Hochleistungselemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendungen im Begriff zu sinken sind.
Zu den wichtigsten Materialien gehören hier Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:21:
[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese Bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium - Si) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren Schaltgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch ein Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden Zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme im gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
-Die grosse Breite des energieabstandbands ermöglicht auch Herstellung von [link]LED[/link]s für hochfrequente Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
+Die grosse Breite des Energieabstandbands ermöglicht auch die Herstellung von [link]LED[/link]s für kurzwellige Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleichso wird ihre Leitfähigkeit ebenfalls weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch als Hochleistungselemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendungen im Begriff zu sinken sind.
-Zu den wichtigsten Materialien hier gehören Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.
+Zu den wichtigsten Materialien gehören hier Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:16:
-[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
+[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese Bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
-Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren schalgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme mi gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
+Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium - Si) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren Schaltgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch ein Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden Zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme im gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
-Die grosse breite des energieabstandbands ermöglicht auch Herstellung von [link]LED[/link]s für hochfrequente Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
+Die grosse Breite des energieabstandbands ermöglicht auch Herstellung von [link]LED[/link]s für hochfrequente Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
-Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleich so wird ihre Leitfähigkeit auch weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
+Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleichso wird ihre Leitfähigkeit ebenfalls weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch als Hochleistungselemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
-Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendung im Begriff zu sinken sind.
+Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendungen im Begriff zu sinken sind.
Zu den wichtigsten Materialien hier gehören Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:07:
-[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/b], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
+[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/link], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).
Einer der Vorzüge gegenüber konventionellen Halbleitern (meist Silizium) liegt in der Fähigkeit bei deutlich höheren Frequenzen zu arbeiten. Dies geht mit der höheren schalgeschwindigkeit einher, die u.A. in kleineren Energieverlusten bei [link]Schaltregler[/link]n resultiert. Kleinere Energieverluste sind auch Ergebnis des etwa zehnmal kleineren Widerstands im leitenden zustand als bei Si-Halbleitern; ebenso Leckströme mi gesperrten Zustand sind wesentlich kleiner.
Die grosse breite des energieabstandbands ermöglicht auch Herstellung von [link]LED[/link]s für hochfrequente Lichtbereiche, wie blau und ultraviolett.
Wegen dem höheren energetischen Abstand benötigen solche Halbleiter höhere Steuerpannungen, können so aber auch allgemein bei höheren Spannungen arbeiten. Gleich so wird ihre Leitfähigkeit auch weitaus weniger von Temperaturschwankungen beeinflusst, sie ertragen also wesentlich höhere Betriebstemperaturen.
Sie eignen sich gut für hochfrequente auf Energiesparsamkeit angewiesene geräte, wie [link=Mobiltelefonie]Mobiltelefone[/link], für Beleuchtungstechnik, aber auch als Hochleistungselemente z.B. in Elektrofahrzeugen.
Einer der - noch - Nachteile liegt heute (2016) in höheren Herstellungskosten, die jedoch im Zusammenhang mit massiver Ausbreitung der Anwendung im Begriff zu sinken sind.
Zu den wichtigsten Materialien hier gehören Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant.

Änderung des Felds Hier am Sonntag, 13. November 2016, 20:06:
+0606

Änderung des Felds Beschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:06:
+[b]WBGS - Halbleiter mit breitem Bandabstand[/b] (englisch [b]W[/b]ide-[b]B[/b]and[b]G[/b]ap [b]S[/b]emiconductors), auch [b]Wide-Bandgap-Halbleiter[/b] oder [b]breitbandige Halbleiter[/b]) sind [link]Halbleiter[/b], deren Abstand zwischen dem Bereich des energetischen Zustands der elementaren Ladungsträger für Nicht-Leitungsfähigkeit (Valenzband) und dem höheren für Leitungsfähigkeit (Leitungsband) - die Bandlücke - besonders gross ist, an der grenze eines Isolators (bei elektrischen Leitern liegen diese bänder dicht aneinander oder überschneiden sich, es gibt keine Bandlücke, bei Isolatoren ist der Abstand - die Lücke - so gross, dass keine Ladungsträger ins Leitungsband überspringen können, um Strom zu leiten).

Änderung des Felds Kurzbeschreibung am Sonntag, 13. November 2016, 20:06:
+Halbleiter mit breitem Abstand zwischen Valenz- und Leitungsband

Änderung des Felds Abkuerzung am Sonntag, 13. November 2016, 20:06:
+Wide-BandGap Semiconductors

Änderung des Felds Titel am Sonntag, 13. November 2016, 20:06:
+WBGS

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